Influence of the ratio of gate length to drain-to-source distance on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
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所属单位：物理学院
发表刊物：Nanoscale research letters
全部作者：孟令国
第一作者：林兆军
论文类型：基础研究
论文编号：lw-137944
卷号：7
页面范围：434
是否译文：否
发表时间：2012-08-03
发表时间：2012-08-03