？Study of Gate Width Influence on Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors With Polarization Coulomb Field Scattering
发布时间：2019-04-14
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- ？IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
- 论文类型：
- 应用研究
- 论文编号：
- lw-183660
- 卷号：
- 63
- 期号：
- 10
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2016-08-12