登录
|
首页
|
返回
|
English
林兆军
教授
电子邮箱:
论文成果
返回中文主页
?Study of source access resistance at direct current quiescent points for AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
?JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
论文类型:
应用研究
论文编号:
lw-183658
卷号:
119
期号:
22
是否译文:
否
发表时间:
2016-06-10
上一条:
?Study of Gate Width Influence on Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors With Polarization Coulomb Field Scattering
下一条:
?The Role of Polarization Coulomb Field Scattering in the Electron Mobility of AlGaN/AlN/GaN Heterostructure Field-effect Transistors
版权所有 ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室
回到顶部