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Analysis of interface trap states in InAlN/AlN/GaN heterostructures
发布时间：2019-04-14
点击次数：
所属单位：
微电子学院
发表刊物：
Semiconductor Science and Technology
论文类型：
综合研究
论文编号：
lw-164543
卷号：
29
是否译文：
否
发表时间：
2014-08-01
上一条：
Influence of polarization Coulomb field scattering on the subthreshold swing in depletion-mode AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
下一条：
Theoretical model of the polarization Coulomb field scattering in strained AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
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