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Influence of polarization Coulomb field scattering on the subthreshold swing in depletion-mode AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间:2019-04-14
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Physica E
论文类型:
综合研究
论文编号:
lw-164550
卷号:
62
是否译文:
发表时间:
2014-05-06