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Comparison for the carrier mobility between the Ⅲ-Ⅴ nitrides and AlGaAs/GaAs heterostructure field-effect transistors

发布时间:2019-04-14
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所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Journal of Semiconductors
论文类型:
综合研究
论文编号:
lw-164593
卷号:
35
期号:
9
是否译文:
发表时间:
2014-01-20