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A study of the impact of gate metals on the performance of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间:2019-04-14
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所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Applied physics letters
论文类型:
综合研究
论文编号:
lw-173243
卷号:
107
是否译文:
发表时间:
2015-09-15