A study of the impact of gate metals on the performance of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
发布时间:2019-04-14
点击次数:
- 所属单位:
- 微电子学院
- 发表刊物:
- Applied physics letters
- 论文类型:
- 综合研究
- 论文编号:
- lw-173243
- 卷号:
- 107
- 是否译文:
- 否
- 发表时间:
- 2015-09-15