A method to determine the strain of the AlGaN barrier layer under the gate in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
发布时间：2019-04-14
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- Superlattices and Microstructures,
- 论文类型：
- 综合研究
- 论文编号：
- lw-173260
- 卷号：
- 79
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2014-12-23