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Ambipolar SnOx thin-film transistors achieved at high sputtering power

发布时间:2019-04-14
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Applied physics letters
全部作者:
辛倩,周莉,杨再兴,林兆军,王卿璞,宋爱民
第一作者:
李云鹏
论文类型:
基础研究
论文编号:
66805FE4E7DA4BC8A74D901F42249EC2
卷号:
112
期号:
18
是否译文:
发表时间:
2018-04-30