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Effect of Polarization Coulomb Field Scattering on Electrical Properties of the 70-nm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs

发布时间:2019-04-14
点击次数:
所属单位:
微电子学院
论文名称:
Effect of Polarization Coulomb Field Scattering on Electrical Properties of the 70-nm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs
发表刊物:
scientific reports
第一作者:
崔鹏
全部作者:
程爱杰,林兆军
论文类型:
综合研究
论文编号:
E7C0F50A9F8C4498BFABA944F654DD32
卷号:
8
是否译文:
发表时间:
2018-08
发布时间:
2019-04-14