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Study of source access resistance at direct current quiescent points for AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor

发布时间:2019-10-23
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Journal of applied physics
全部作者:
林兆军
第一作者:
杨铭
论文类型:
综合研究
论文编号:
lw-183658
卷号:
119
期号:
22
页面范围:
224501
是否译文:
发表时间:
2016-06-10