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Influence of polarization Coulomb field scattering on the subthreshold swing in depletion-mode AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
论文名称:
Influence of polarization Coulomb field scattering on the subthreshold swing in depletion-mode AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
发表刊物:
Physica E
第一作者:
栾崇彪
全部作者:
林兆军
论文类型:
综合研究
论文编号:
lw-164550
卷号:
62
页面范围:
76
字数:
3
是否译文:
发表时间:
2014-05
发布时间:
2019-10-24