Barrier heights of Schottky contacts on strained AlGaN/GaN heterostructures: Determination and effect of metal work functions
发布时间：2019-10-24
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 论文名称：
- Barrier heights of Schottky contacts on strained AlGaN/GaN heterostructures: Determination and effect of metal work functions
- 发表刊物：
- APPLIED PHYSICS LETTERS
- 第一作者：
- 林兆军
- 全部作者：
- 林兆军
- 论文类型：
- 综合研究
- 论文编号：
- lw-96753
- 卷号：
- 82
- 期号：
- 24
- 页面范围：
- 364
- 字数：
- 3000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2003-04
- 发布时间：
- 2019-10-24