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Barrier heights of Schottky contacts on strained AlGaN/GaN heterostructures: Determination and effect of metal work functions

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
APPLIED PHYSICS LETTERS
全部作者:
林兆军
第一作者:
林兆军
论文类型:
综合研究
论文编号:
lw-96753
卷号:
82
期号:
24
页面范围:
364
字数:
3000
是否译文:
发表时间:
2003-04-30