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Thermal Stability of Strained AlGaN/GaN Heterostructures
发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
chinese physics letters
全部作者:
林兆军,肖洪地
第一作者:
林兆军
论文编号:
lw-96778
卷号:
23
期号:
7
页面范围:
1900
字数:
3000
是否译文:
否
发表时间:
2006-07-20
上一条:
Influence of Ni Schottky contact thickness on two-dimensional electron-gas sheet carrier concentration of strained Al0.3Ga0.7N/GaN heterostructures
下一条:
Barrier heights of Schottky contacts on strained AlGaN/GaN heterostructures: Determination and effect of metal work functions