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The influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
Journal of Semiconductors
全部作者:
林兆军
第一作者:
于英霞
论文类型:
综合研究
论文编号:
lw-164576
卷号:
35
期号:
12
页面范围:
124007
字数:
3
是否译文:
发表时间:
2014-07-08