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The Role of Polarization Coulomb Field Scattering in the Electron Mobility of AlGaN/AlN/GaN Heterostructure Field-effect Transistors

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
?Journal of the Korean Physical Society
全部作者:
林兆军
第一作者:
刘艳
论文类型:
综合研究
论文编号:
lw-183657
卷号:
68
期号:
7
页面范围:
883
是否译文:
发表时间:
2016-03-03