Influence of different GaN cap layer thicknesses on electron mobility in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
发布时间：2019-10-24
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- ？Superlattices and Microstructures
- 全部作者：
- 林兆军,程爱杰
- 第一作者：
- 崔鹏
- 论文类型：
- 综合研究
- 论文编号：
- lw-183661
- 卷号：
- 100
- 页面范围：
- 358
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2016-09-29