Improvement of switching characteristics by substrate bias in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field effect transistors
发布时间：2019-10-24
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Chinese Physics B
- 全部作者：
- 林兆军
- 第一作者：
- 杨铭
- 论文类型：
- 综合研究
- 论文编号：
- lw-173326
- 卷号：
- 24
- 期号：
- 11
- 页面范围：
- 117103
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2015-10-09
- 上一条：Study of Gate Width Influence on Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors With Polarization Coulomb Field Scattering
- 下一条：Effect of the side-Ohmic contact processing on the polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors