Study of Gate Width Influence on Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors With Polarization Coulomb Field Scattering
发布时间：2019-10-24
点击次数：
- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- ？IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
- 全部作者：
- 林兆军
- 第一作者：
- 杨铭
- 论文类型：
- 综合研究
- 论文编号：
- lw-183660
- 卷号：
- 63
- 期号：
- 10
- 页面范围：
- 3908
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2016-08-12