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Influence of Different Gate Biases and Gate Lengths on Parasitic Source Access Resistance in AlGaN/GaN Heterostructure FETs

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
IEEE Transactions on Electron Devices
全部作者:
林兆军,程爱杰
第一作者:
崔鹏
论文类型:
综合研究
论文编号:
E2988FC1A9E8447E954EB10F064D7460
卷号:
64
期号:
3
页面范围:
1038
是否译文:
发表时间:
2017-03-01