Enhanced effect of diffused Ohmic contact metal atoms for device scaling in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
发布时间：2019-10-24
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- 所属单位：
- 数学学院
- 发表刊物：
- Superlattices and Microstructures
- 全部作者：
- 程爱杰,林兆军
- 第一作者：
- 刘欢
- 论文编号：
- F9BB185E29D949D494A8B8F21346A6EF
- 卷号：
- 103
- 页面范围：
- 113
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2017-03-01