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A method to determine electron mobility of the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
Superlattices and Microstructures
全部作者:
林兆军
第一作者:
崔鹏
论文类型:
综合研究
论文编号:
279EBCD638CE41D3BE1F727C786992E9
卷号:
110
页面范围:
289
是否译文:
发表时间:
2017-10-01