The influence of the PCF scattering on the electrical properties of the AlGaN/AlN/GaN HEMTs after the Si3N4 surface passivation
发布时间：2019-10-24
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Applied Physics A-Materials Science & Processing
- 全部作者：
- 林兆军,程爱杰
- 第一作者：
- 付晨
- 论文类型：
- 综合研究
- 论文编号：
- F32AD635A7794EE79E6E6951FD576DD1
- 卷号：
- 124
- 期号：
- 4
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2018-04-01