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Improved Linearity with Polarization Coulomb Field Scattering in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
scientific reports
全部作者:
程爱杰,林兆军
第一作者:
崔鹏
论文类型:
综合研究
论文编号:
6F146E0EDCBB4D39A65CB09F15ACC5F7
卷号:
8
是否译文:
发表时间:
2018-01-17