Effect of Different Gate Lengths on Polarization Coulomb Field Scattering Potential in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors
发布时间：2019-10-25
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Scientific Reports
- 全部作者：
- 林兆军,程爱杰
- 第一作者：
- 崔鹏
- 论文类型：
- 综合研究
- 论文编号：
- F2AA78930D604001BBE2CDBB7272ED00
- 卷号：
- 8
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2018-06-13