所属单位：

集成电路学院

论文名称：

Effect of Polarization Coulomb Field Scattering on Electrical Properties of the 70-nm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs

发表刊物：

Scientific Reports

第一作者：

崔鹏

全部作者：

程爱杰,林兆军

论文类型：

综合研究

论文编号：

E7C0F50A9F8C4498BFABA944F654DD32

卷号：

8

是否译文：

否

发表时间：

2018-08

发布时间：

2019-10-25