Study of source access resistance at direct current quiescent points for AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor
发布时间:2019-10-25
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- 所属单位:
- 微电子学院
- 发表刊物:
- Journal of applied physics
- 全部作者:
- 林兆军
- 第一作者:
- 杨铭
- 论文类型:
- 综合研究
- 论文编号:
- lw-183658
- 卷号:
- 119
- 期号:
- 22
- 页面范围:
- 224501
- 是否译文:
- 否
- 发表时间:
- 2016-06-10