Ambipolar SnO<inf>x</inf>thin-film transistors achieved at high sputtering power
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所属单位：微电子学院
发表刊物：Applied Physics Letters
第一作者：李云鹏
论文类型：基础研究
论文编号：2018zxsei682
卷号：27
期号：18
是否译文：否
发表时间：2018-12-30
发表时间：2018-12-30
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