Simulation of the effect of polarization Coulomb field scattering on device linearity in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors using the Monte Carlo method
发布时间：2021-12-08
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- AIP ADVANCES
- 第一作者：
- 杨勇雄
- 论文编号：
- 654962E1CCCB40D78A9DD5E0B5E4D883
- 卷号：
- 11
- 期号：
- 8
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-08-01