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Complementary Integrated Circuits Based on p-Type SnO and n-Type IGZO Thin-Film Transistors

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所属单位：微电子学院

发表刊物：IEEE Electron Device Letters

第一作者：李云鹏

论文类型：基础研究

论文编号：2018zxsei1385

卷号：24

期号：2

页面范围：208

字数：4000

是否译文：否

发表时间：2018-12-30

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林兆军 (教授)