The mechanism of the enhanced intensity for polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field effect transistors with submicron gate length
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所属单位：微电子学院
发表刊物：Solid-State Electronics
第一作者：姜光远
论文类型：基础研究
论文编号：94E9CD5E7CC5456FA0960D195E9C7814
卷号：186
期号：1
是否译文：否
发表时间：2021-12-01
发表时间：2021-12-01