The mechanism of the enhanced intensity for polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field effect transistors with submicron gate length
发布时间：2021-12-10
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Solid-State Electronics
- 第一作者：
- 姜光远
- 论文编号：
- 94E9CD5E7CC5456FA0960D195E9C7814
- 卷号：
- 186
- 期号：
- 1
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-12-01