Comparison of ratio of gate length to gate-drain distance influences on source access resistance of AlGaN/AlN/GaN HFETs at different temperatures
发布时间：2022-05-18
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- MICROELECTRONIC ENGINEERING
- 第一作者：
- Liu, Yan
- 论文编号：
- 656B4BB74E7F450FB095031DB857F9DF
- 卷号：
- 247
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-07-15