A split-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor with an auxiliary gate
发布时间：2022-05-18
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- AIP ADVANCES
- 第一作者：
- 刘阳
- 论文编号：
- F147A487D4CC4E0BA94FF1162268E7B5
- 卷号：
- 12
- 期号：
- 2
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2022-02-01