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A split-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor with an auxiliary gate

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所属单位：微电子学院

发表刊物：AIP ADVANCES

第一作者：刘阳

论文编号：F147A487D4CC4E0BA94FF1162268E7B5

卷号：12

期号：2

是否译文：否

发表时间：2022-02-01

上一条： Influence of Polarization Coulomb Field Scattering on the Sub-60 mV/dec Switching of AlGaN/GaN HFETs

下一条： Comparison of ratio of gate length to gate-drain distance influences on source access resistance of AlGaN/AlN/GaN HFETs at different temperatures

林兆军 (教授)