A submicron split-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor for class-A common-source voltage amplifier applications
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所属单位：微电子学院
发表刊物：Micro and Nanostructures
第一作者：刘阳
论文编号：A3DAC3F30E7A4A79A212D05719E0F31A
期号：207319
字数：5
是否译文：否
发表时间：2022-06-15
发表时间：2022-06-15