A submicron split-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor for class-A common-source voltage amplifier applications
发布时间：2022-12-10
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Micro and Nanostructures
- 第一作者：
- 刘阳
- 论文编号：
- A3DAC3F30E7A4A79A212D05719E0F31A
- 期号：
- 207319
- 字数：
- 5
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2022-06-15