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Monte Carlo Investigation of High-Field Electron Transport Properties in AlGaN/GaN HFETs

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所属单位：微电子学院

发表刊物：IEEE Electron Device Letters

第一作者：王鸣雁

论文编号：6A449E6A0FD14BC98E8DFDB859B8447D

期号：12

字数：3

是否译文：否

发表时间：2022-10-26

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林兆军 (教授)