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Monte Carlo Investigation of High-Field Electron Transport Properties in AlGaN/GaN HFETs

发布时间:2022-12-13
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
IEEE Electron Device Letters
第一作者:
王鸣雁
论文编号:
6A449E6A0FD14BC98E8DFDB859B8447D
期号:
12
字数:
3
是否译文:
发表时间:
2022-10-26