Bias-Dependent Electron Velocity Extracted From AlGaN/GaN HFETs and Its Impact on gm and fT
发布时间：2023-11-13
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- IEEE Electron Device Letters
- 第一作者：
- 王鸣雁
- 论文编号：
- 4B0DEB3F96FA4996984DC4990B4D40E1
- 期号：
- 12
- 字数：
- 3
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2023-10-05