Influence of polarization Coulomb field scattering on the electrical properties of normally-off recessed gate AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor with ALD-Al2O3 gate dielectric stack
发布时间：2024-05-17
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- 所属单位：
- 新一代半导体材料研究院
- 发表刊物：
- SOLID-STATE ELECTRONICS
- 第一作者：
- Jiang, Guangyuan
- 论文编号：
- 33733E2B9BFF407EB865DA65E98904F1
- 卷号：
- 201
- 字数：
- 4000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2023-03-01