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Modeling of the Gate Bias-Dependent Velocity–Field Relationship and Physics-Based Current-Voltage Characteristics in AlGaN/GaN HFETs

发布时间:2024-11-21
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
IEEE ACCESS
第一作者:
王鸣雁
论文编号:
8C0EF47C110A46B4AA20B60BD11A564F
期号:
12
字数:
3000
是否译文:
发表时间:
2024-01-16