Study of electrical transport properties in split-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
发布时间：2024-11-21
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Guti Dianzixue Yanjiu Yu Jinzhan/Research & Progress of Solid State Electronics
- 第一作者：
- 周衡
- 论文编号：
- F7E2B76E46924C88A705718E160C7E29
- 期号：
- 212
- 字数：
- 3000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2023-11-03