Enhanced device performance of GaN high electron mobility transistors with in situ crystalline SiN cap layer
发布时间：2024-12-09
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- 所属单位：
- 新一代半导体材料研究院
- 发表刊物：
- APPLIED PHYSICS LETTERS
- 第一作者：
- 罗鑫
- 论文编号：
- 1843556233512062977
- 卷号：
- 125
- 期号：
- 12
- 字数：
- 4000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2024-09-16