High Breakdown Voltage P-GaN Gate HEMTs With Threshold Voltage of 7.1 V
发布时间：2024-12-19
点击次数：
- 所属单位：
- 新一代半导体材料研究院
- 发表刊物：
- IEEE Electron Device Letters
- 第一作者：
- 陈思衡
- 论文编号：
- CFFF4E6B36CF438F85A95FA554A9E105
- 卷号：
- 12
- 期号：
- 45
- 页面范围：
- 2343
- 字数：
- 3000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2024-12-01