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可装配二维微等离子体阵列装置及其制备方法
发布时间：2019-01-26
点击次数：
所属单位：
微电子学院
发明设计人：
孟令国,邢建平,蒋然,王卿璞
申请号：
201010129547.3
发明人数：
5
是否职务专利：
否
申请日期：
2010-03-23
上一条：
提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法
下一条：
确定GaN 异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法
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