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专利
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提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法
发布时间：2019-04-15
点击次数：
所属单位：
微电子学院
申请专利人：
林兆军
专利类型：
发明
申请号：
201710930227X
发明人数：
1
是否职务专利：
否
申请日期：
2017-10-09
上一条：
确定GaN 异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法
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可装配二维微等离子体阵列装置及其制备方法
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