提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法
点击次数：
所属单位：微电子学院
申请专利人：林兆军
专利类型：发明
申请号：201710930227X
发明人数：1
是否职务专利：否
申请日期：2017-10-09
申请日期：2017-10-09
教授
性别：男
在职信息：在职
所在单位：集成电路学院
入职时间：2003-12-08
提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法
点击次数：
所属单位：微电子学院
申请专利人：林兆军
专利类型：发明
申请号：201710930227X
发明人数：1
是否职务专利：否
申请日期：2017-10-09
申请日期：2017-10-09