一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管优化方法
发布时间:2025-07-11
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- 专利名称:
- 一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管优化方法
- 所属单位:
- 集成电路学院
- 专利类型:
- 发明
- 申请号:
- 202211682596.9
- 发明人数:
- 2
- 是否职务专利:
- 否
- 申请日期:
- 2022-12-27
- 公开日期:
- 2025-05-30
- 授权日期:
- 2025-05-30
- 发布时间:
- 2025-07-11

