一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管优化方法

发布时间:2025-07-11
点击次数:
专利名称:
一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管优化方法
所属单位:
集成电路学院
专利类型:
发明
申请号:
202211682596.9
发明人数:
2
是否职务专利:
申请日期:
2022-12-27
公开日期:
2025-05-30
授权日期:
2025-05-30
发布时间:
2025-07-11