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专利
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一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法
发布时间：2024-05-31
点击次数：
所属单位：
新一代半导体材料研究院
专利类型：
发明
申请号：
202210196597.6
发明人数：
8
是否职务专利：
否
申请日期：
2022-03-02
公开日期：
2024-05-28
授权日期：
2024-05-28
下一条：
提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法
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