一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法
发布时间：2024-05-31
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- 专利名称：
- 一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法
- 所属单位：
- 新一代半导体材料研究院
- 专利类型：
- 发明
- 申请号：
- 202210196597.6
- 发明人数：
- 8
- 是否职务专利：
- 否
- 申请日期：
- 2022-03-02
- 公开日期：
- 2024-05-28
- 授权日期：
- 2024-05-28
- 发布时间：
- 2024-05-31