专利名称:一种利用纳米压痕技术提高发光二极管(LED)光提取效率的方法
所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)
专利类型:发明
申请号:2014104069951
发明人数:1
是否职务专利:否
申请日期:2014-08-18
公开日期:2017-01-25
授权日期:2017-01-25
发布时间:2019-04-15
专利名称:一种利用纳米压痕技术提高发光二极管(LED)光提取效率的方法
所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)
专利类型:发明
申请号:2014104069951
发明人数:1
是否职务专利:否
申请日期:2014-08-18
公开日期:2017-01-25
授权日期:2017-01-25
发布时间:2019-04-15