栾彩娜

高级实验师

硕士生导师

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Characterization of tunable band gap aluminum indium oxide films prepared on SiO2 (0001) by MOCVD
  • 所属单位：
    微电子学院
  • 发表刊物：
    Journal of Materials Science: Materials in Electronics
  • 全部作者：
    栾彩娜
  • 第一作者：
    马瑾
  • 论文类型：
    基础研究
  • 论文编号：
    lw-178176
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2016-01-08
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