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栾彩娜
高级实验师
硕士生导师
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论文成果
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Characterization of tunable band gap aluminum indium oxide films prepared on SiO2 (0001) by MOCVD
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
全部作者:
栾彩娜
第一作者:
马瑾
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-178176
是否译文:
否
发表时间:
2016-01-08
上一条:
Lift-Off Mechanism of GaN Thin Films with Buried Nanocavities Investigated by SEM and TEM
下一条:
Domain structure and optical property of epitaxial indium oxide film deposited on MgO(100) substrate
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