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Structure and photoluminescence properties of epitaxial SnO2 films grown on alpha-Al2O3 (012) by MOCVD

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Journal of Luminescence
全部作者:
马瑾,栾彩娜
第一作者:
马瑾
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-98276
卷号:
131
期号:
1
页面范围:
88
是否译文:
发表时间:
2011-01-20