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栾彩娜
高级实验师
硕士生导师
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论文成果
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Preparation and characterization of single crystalline In2O3 films deposited on MgO(110) substrates by MOCVD
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Ceramics International
全部作者:
马瑾,栾彩娜,冯先进
第一作者:
马瑾
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-155158
卷号:
40
是否译文:
否
发表时间:
2014-01-17
上一条:
Structural and optical properties of heteroepitaxial beta Ga2O3 films grown on MgO (100) substrates
下一条:
Epitaxial growth of Ga2O3 thin films on MgO(110) substrate by metal–organic chemical vaporde position
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