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Characterizationofhomoepitaxial β-Ga2O3 films prepared by metal–organic chemical vapor deposition

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Journal of crystal growth
全部作者:
马瑾,栾彩娜
第一作者:
马瑾
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-155135
卷号:
404
页面范围:
75
是否译文:
发表时间:
2014-07-17